El nuevo Silicon Power DDR5 SODIMM de la conocida marca taiwasesa proporciona la ventajas de siguiente nivel para su computadora portátil.

Índice de contenido

Silicon Power DDR5 SODIMM

La querida marca Silicon Power (SP) lanza su nuevo módulo de memoria SODIMM para portátiles con la última e innovadora tecnología DDR5. Siga leyendo para saber por qué es hora de deshacerse de su módulo DDR4 y realizar la actualización.

Aproveche el poder de DDR5

Llevando la velocidad, la capacidad y la confiabilidad aún más lejos, la tecnología de vanguardia de este módulo DDR5 SODIMM brinda una ventaja de nivel superior para el rendimiento de su computadora portátil.

Con una frecuencia agresiva de 4800 MHz, es un 50 % más alta que una DDR4 estándar de 3200 MHz para proporcionar CPU multinúcleo con una capacidad de respuesta extrema y la potencia para realizar varias tareas a la perfección.

Mayor eficiencia energética

Incluso con toda su potencia adicional, este módulo DDR5 SODIMM mejora a su predecesor con regulación de voltaje en el módulo. Un circuito integrado de administración de energía (PMIC) reduce la carga en el control de la placa base. Y da como resultado un voltaje más bajo de 1,1 V en comparación con 1,2 V para DDR4 para un consumo de energía aún menor.

Aún más razones para actualizar

  • Capacidad de unidad de chip duplicada en comparación con DDR4 (de 16 GB a 32 GB) para realizar múltiples tareas sin inconvenientes
  • Fiabilidad mejorada en comparación con DDR4 con código de corrección de errores (ECC) integrado
  • Eficiencia optimizada con dos canales independientes de 32 bits por módulo
  • Alto rendimiento informático con el doble de bancos y el doble de longitud de ráfaga en comparación con DDR4

Características

  • 4800MHz otorga velocidades de transmisión más rápidas y mayor ancho de banda que DDR4
  • 1,5 veces más rápido que el estándar DDR4 de 3200 MHz para proporcionar CPU multinúcleo con una capacidad de respuesta extrema
  • Disponible en densidades de módulos de 8 GB, 16 GB y 32 GB
  • Capacidad de unidad de chip duplicada en comparación con DDR4 (de 16 GB a 32 GB) para realizar múltiples tareas sin problemas
  • Bajo voltaje de 1,1 V para un menor consumo de energía
  • Fiabilidad mejorada frente a DDR4 con código de corrección de errores en matriz (ECC)
  • Eficiencia optimizada con dos canales independientes de 32 bits por módulo
  • Alto rendimiento informático con el doble de bancos y el doble de longitud de ráfaga en comparación con DDR4
  • Compatible con procesadores Intel® Core™ de 12.ª generación compatibles con DDR5 y placas base compatibles con DDR5

ESPECIFICACIONES

  • Capacidad
    • Paquete individual: 8GB, 16GB, 32GB
      Kit de doble canal: 16GB(8GB*2), 32GB(16GB*2), 64GB(32GB*2)
  • Dimensiones
    • 30,0 mm x 69,6 mm
  • Voltaje
    • 1,1 V
  • Factor de forma
    • SOIMM de 260 pines sin EXC
  • Frecuencia (Velocidad)
    • 4800MHz
  • Latencia CAS
    • CL40
  • Certificación
    • CE, UKCA, punto verde (solo Alemania y España), WEEE, Triman, RoHS

Densidad y configuración del módulo

Capacidad

Número de articulo

4800MHz C40, 1,1 V 8GB SP008GBSVU480G02
4800MHz C40, 1,1 V 16 GB SP016GBSVU480F02
4800MHz C40, 1,1 V 32 GB SP032GBSVU480F02
4800MHz C40, 1,1 V 8 GB x 2 SP016GBSVU480G22
4800MHz CL40, 1,1 V 16 GB x 2 SP032GBSVU480F22
4800MHz CL40, 1,1 V 32 GB x 2 SP064GBSVU480F22
Fuente: SP
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