Samsung inicia la producción masiva de DRAM móvil LPDDR4X de segunda generación de 10nm, clase 10nm y 16Gb. Samsung Electronics, el líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que comenzó a producir en masa la segunda generación de 10 nanómetros de clase (1y-nm), LPDDR4X (baja potencia, velocidad de datos doble, 4X) DRAM para mejorar la eficiencia y reduzcir el consumo de batería de los teléfonos inteligentes premium y otras aplicaciones móviles actuales.
Comparado con los chips de memoria DRAM móviles más utilizados en los dispositivos móviles actuales (LPDDR4X de 1x-nm y 16Gb), la DRAM LPDDR4X de 2ª generación ofrece hasta un 10% de reducción de energía y mantiene la misma velocidad de datos de 4,266 megabits por segundo (Mb / s).
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Samsung inicia la producción masiva de la DRAM móvil
"La llegada de la DRAM móvil de 10nm permitirá soluciones significativamente mejoradas para los dispositivos móviles insignia de próxima generación que deberían llegar al mercado a fines de este año o en la primera parte de 2019". dijo Sewon Chun, vicepresidente senior de Ventas y Mercadeo de Memoria en Samsung Electronics. "Continuaremos haciendo crecer nuestra línea de DRAM premium para liderar el segmento de memoria 'de alto rendimiento, alta capacidad y baja potencia' para satisfacer la demanda del mercado y fortalecer nuestra competitividad empresarial".
Samsung ampliará su línea de DRAM premium que se basa en el proceso de 1y-nm en más del 70 por ciento. Esta iniciativa comenzó con la producción masiva del primer servidor DRM DDR4 de 8GB y 10nm en noviembre pasado y continúa con este chip de memoria móvil LPDDR4X de 16Gb solo ocho meses después.
Samsung dijo que ha creado un paquete DRAM móvil LPDDR4X de 8GB al combinar cuatro de los chips DRAM LPDDR4X 16Gb de 10nm (16Gb = 2GB). Este paquete de cuatro canales puede realizar una velocidad de datos de 34.1 GB por segundo y su grosor se ha reducido más del 20 por ciento desde el paquete de primera generación, permitiendo a los OEM diseñar dispositivos móviles más delgados pero más efectivos.
Con sus avances LPDDR4X, Samsung ampliará rápidamente su cuota de DRAM móvil en el mercado al proporcionar una variedad de productos de alta capacidad, incluidos paquetes LPDDR4X de 4GB, 6GB y 8GB.
En línea con su lanzamiento de LPDDR4X clase 10nm, Samsung ha comenzado a operar una nueva línea de producción de DRAM en Pyeongtaek, Corea, para asegurar un suministro estable de todos los chips DRAM móviles, en respuesta a la creciente demanda.
Fuente: techpowerup
