Hace una semana se dio a conocer el Qualcomm Snapdragon 835, el nuevo chip de Qualcomm que la compañía ha anunciado como su producto estrella para el comienzo de 2017. Al igual que el 820, el procesador Snapdragon 835 ha sido desarrollado en colaboración con Samsung, que ha hecho grandes progresos en el campo del desarrollo de SoC en los últimos tiempos y ha logrado proporcionar a Qualcomm con la tecnología para construir conjuntos de chips en un proceso FinFET de 10 nanómetros.
Qualcomm Snapdragon 835
Según el comunicado de prensa oficial, en comparación con sus 14 nm de Snapdragon 820 predecesor, el 835 puede ser un 30% más pequeño, tiene un 27% más de rendimiento, y un 40% más de eficiencia energética. Esto significa un poco más de espacio para respirar dentro de los teléfonos inteligentes y otros componentes y una mejor duración de la batería junto con el SoC, que estará involucrado, según optimización. Un chip de ocho núcleos con arquitectura Kryo 200, acompañado de una GPU Adreno 540 y un nuevo módem LTE X16.
El nuevo procesador irá acompañado también de la nueva generación de carga rápida, la quick charge 4.0. Se dice que proporcionará una carga 20% más rápida que la ya impresionante carga rápida 3.0 de Qualcomm. La Carga Rápida 4.0 también será totalmente compatible con USB tipo C, los teléfonos equipados con el puerto de datos reversible. En resumen, anuncian que será capaz de cargar los terminales en apenas 30 minutos. Con 5 minutos de carga tendremos hasta 5 horas de uso. Con 15 minutos, la mitad de la batería, una barbaridad.
Este procesador lo prodremos ver en el próximo y deseado móvil de Samsung, el futuro Samsung Galaxy S8 y los futuros terminales de OnePlus (¿OP4?) y por supuesto los de Xiaomi: Xiaomi Mi6, Redmis, Notes, etc.
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